二、深紫外线发展情况

　　深紫外线的发展技术主要在美国、日本、韩国等国家。2014年，赤崎勇和天野浩因开发出蓝色LED而荣获诺贝尔物理学奖。凭借着诺贝尔技术源泉，日本目前站在了深紫外开发的最前沿。美国在深紫外的研究方面领先，具有代表性的企业是美国的SETI公司，但是近年有被日本超越的趋势，日本日机装(NIKKISO)从2015年春季开始量产发光波长为255～350nm的深紫外LED。

　　韩国厂商首尔半导体与LG Innotek也在研发紫外LED。同时日本信息通信研究机构(NICT)宣布，新开发的波长265nm的深紫外LED，实现了输出功率高达90mW/cm2的连续发光，这一功率足以满足实用化需求。为夺取成长市场，以通过提高发光效率、建立量产技术，实现成本化为目标，全球掀起了白热化的技术开发竞争。一马当先的是3家日本企业：日机装、旭化成和德山。

紫外LED芯片发光的波长越短，技术难度就越大，在深紫外LED芯片领域我国也有以青岛杰生为代表的优秀企业。另外以鸿利智汇、国星光电为代表的中游封装公司都计划推出了各自的深紫外LED产品。

　　三、深紫外LED发展存在问题

　　UV-LED单个芯片面积小，便于灵活设计;但相应的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求，这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的重要原因之一。

3.1 提升芯片发光效率

　　1)高质量AlN晶体层

　　首先需要就解决的是UVC LED芯片各波段的高质量AlN模块。制作蓝色LED时，蓝宝石基板上叠加氮化铟镓的晶体层。制作高质量的晶体层，是实现量产和性能稳定化的重点，但氮化铟镓不容易在蓝宝石上结晶。

　　为此，人们想出了先在蓝宝石上设置氮化镓“缓冲层”，再在上面叠加氮化铟镓层的方法。但是，深紫外LED的发光材料与蓝色LED不同，采用氮化铝镓，而且氮化镓具有容易吸收紫外线的性质，所以缓冲层的材料需要变更为氮化铝。随着晶体生长技术的进步，高IQE(内量子效率)的单晶AlN逐步走向成熟。

2)AlGaN掺杂技术研究

　　首先高Al组成的n-AlGaN各项特性研究。在不同Al含量条件下，对活化能的影响、欧姆电阻的变化以及肖特特性等的研究。